特點:
» 一機兩用, 量測電阻率Resistivity (ρ)與電子遷移率Charge Carriers Mobility (μτ) » 電阻率量測範圍: 105 ~ 1011 ohm.cm » 晶圓厚度: Min 0.5mm » 晶圓尺寸: Max 6 inch » 可量測各式半導體材料與Ⅲ-Ⅴ族材料: 矽晶圓Silicon, 碲化鎘CdTe, 碲化鋅ZnTe, 碲化錳MnTe, 砷化鎵GaAS, 磷化銦InP, 碳化矽SiC (不適用量測電子遷移率),……
